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onsemi NTHD4P02FT1G
| Artikelnummer: | NTHD4P02FT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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-
onsemi NTHD4P02FT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTHD4P02FT1G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Vgs (Max) ±12V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse ChipFET™ Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 2.2A, 4.5V Verlustleistung (max) 1.1W (Tj) Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A (Tj) Grundproduktnummer NTHD4 NTHD4P02FT1G Einzelheiten PDF [English] NTHD4P02FT1G PDF - EN.pdf -
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